多晶硅光電池

p-Si（多晶硅，包括微晶）光電池沒有光致衰退效應，材料質量有所下降時也不會導致光電池受影響，是國際上正掀起的前沿性研究熱點。在單晶硅襯底上用液相外延制備的p-Si光電池轉換效率為15.3％，經減薄襯底，增強陷光等出產，可提高到23.7％，用CVD法制備的轉換效率約為12.6-17.3％。采用廉價襯底的p-Si薄膜生長辦法有pECVD和熱絲法，或對a-Si：H材料膜進行后退火，達到低溫固相晶化，可分別制出效率9.8％和9.2％的無退化電池。微晶硅薄膜生長與a-Si工藝相容，光電性能和穩定性很高，研究受到很大重視，但效率僅為7.7％。大面積低溫p-Si膜與-Si組成疊層電池結構，是提高a-S光電池穩定性和轉換效率的緊要途徑，可更充足利用太陽光譜，理論計算聲明其效率可在28％以上，將使硅基薄膜光電池性能萌生沖破性進展。銅銦硒光電池

CIS（銅銦硒）薄膜光電池已成為國際光伏界研究開發的熱門課題，它具有轉換效率高（已達到17.7％），性能穩定，制造成本低的特點。CIS光電池一般是在玻璃或其它廉價襯底上分別沉積多層膜而構成的，厚度可做到2?3μm，吸收層CIS膜對電池性能起著決定性作用。現已開發出反應共蒸法和硒化法（濺射、蒸發、電沉積等）兩大類多種制備辦法，其它外層通常采用真空蒸發或濺射成膜。妨礙其發展的原由是工藝重復性差，高效電池成品率低，材料組分較復雜，缺乏控制薄膜生長的分解儀器。CIS光電池正受到產業界重視，一些知名公司意識到它在將來能源市場中的前景和所處地位，積極張大開發規模，著手組建中試線及制造廠。

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