晶體硅太陽能電池激光邊緣絕緣化解決

伴隨著晶體硅太陽能電池產業的穩步發展，激光一直被認為是提高電池質量和降低制造成本的緊要工具。激光出產在諸如激光燒蝕電極（LFC）、激光刻槽掩埋柵電極（LGBC）、以及M/EWT等使用增長顯著，目前在晶體硅太陽能電池制造中使用最廣泛的激光工藝之一是激光邊緣絕緣解決。

c-Si電池制造過程中N型離子摻雜/擴散到p型硅基體形成微米級的N型摻雜膜層，這個膜層包圍了整個晶圓片，從而造成了電池前后兩面電極的分流，為了避免分流就非得對電池邊緣進行絕緣化解決。

典型的激光邊緣絕緣化解決是通過在盡可能靠近太陽能電池外緣的周圍進行刻劃溝槽來實現。為了獲得最佳的絕緣效果，溝槽的深度非得大于離子擴散層，典型的溝槽深度為10-20um，寬度為20-40um。盡管Spectra-physics激光器產品中有眾多型號能勝任絕緣解決工作，但是出產速度最快，質量最高的還是最新的調Q全固態激光器系列，其中首選為pulseo355-20。

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