基于開路電壓的電池監視器電路的編程及探測

引言基于開路電壓(OCV)的電量計DS2786在出廠時將默認的OCV特性和默認配置加載到EEpROM中。為了提高OCV電量計的精度并使DS2786適應特定的使用場合，必要時需對DS2796的EEpROM進行再編程。本文描述了要怎么樣對EEpROM進行編程及要怎么樣對已經安裝好的電路板進行探測。板極探測下文給出了一個安裝電池組之前探測基于DS2786OCV電路板的例子。圖1為電路板的電路原理圖，用到了DS2786的所有功能。圖中所有緊要的探測點(共7個)都用帶圈數字標出。探測流程假定電路中的所有分立元件已經過探測，因此，探測目的為確認線路連接，從而驗證安裝的電路板是不是正確。

圖1.非得驗證的電路節點探測步驟1：探測初始化。該步驟的目的是確定電路板中是不是存在筆直短路，是不是能進行通信。器件成功通信后可以讀取電壓寄存器讀數，以驗證SDA和SCL連接(節點1)、pack+和VDD引腳之間的連接(節點2)，以及pack-和VSS引腳(節點3)之間的連接是不是正確。此外，通過讀取電壓寄存器并確認探測是不是有效，可以驗證VIN引腳(節點4)連接是不是正確。pack+與pack-間接4.0V電源。等待880ms。等待電壓轉換。讀電壓寄存器：2字節。若未發生通信聲明電路安裝失敗。若電壓讀數不正確聲明電路安裝失敗。探測步驟2：驗證SNS(節點5)。通過有效的電流探測可驗證SNS引腳連接是不是正確。pack+與pack-間接4.0V電源。pack-與系統VSS間電流為1.0A。等待880ms。等待電流轉換讀電流寄存器：2字節。若電流讀數不準確聲明電路安裝失敗。探測步驟3：驗證輔助輸入AIN0和AIN1連接(節點6)。通過有效的電阻測量可驗證AIN0和AIN1引腳連接是不是正確。這一步是可選的。在packID端與pack-間接10kΩ電阻。在Therm端與pack-間接10kΩ電阻。pack+與pack-間接4.0V電源。等待880ms。等待輔助輸入轉換。讀AIN0和AIN1：4字節。若AIN0/AIN1讀數不準確聲明電路安裝失敗。探測步驟4：驗證VpROG并對EEpROM編程(節點8)。需要提供一個探測點用于連接編程電壓至VpROG引腳，以對DS2786的EEpROM進行編程。通過寫EEpROM和復制EEpROM可以驗證該連接是不是正確，并驗證EEpROM是不是已更新。EEpROM中包括了電流失調偏置寄存器(CObr)，因此在編程EEpROM之前校準CObr是有益的。pack+與pack-間接4.0V電源。校準CObr。若希望進行CObr校準，可以參看下文的具體說明。寫參數EEpROM區：32字節。將參數復制到EEpROM。等待14ms。等待復制EEpROM。向參數EEpROM區寫0xFFh：31字節非存儲器地址0x7Dh)*。從EEpROM中調用參數。讀參數EEpROM區：32字節。如果從EEpROM中讀取到的32個字節都無法與原先寫入的32字節相匹配，說明電路安裝失敗。不要向存儲器地址7Dh寫入0xFFh，否則從地址將變化并且器件將停止應和該前從地址。電流失調偏置寄存器的校準通過電流失調偏置寄存器，可在+3.175mV至-3.2mV間調節DS2786電流測量結果，步長為25μV。CObr的出廠默認值為0x00h。以下例子列出了校準DS2786電流失調偏置寄存器的步驟：給DS2786加電，確保測試電阻中無電流。向CObr中寫0x00h(存儲器地址0x60h)。等待880ms，直至下一個轉換周期到來。讀電流寄存器。依據實際需要，多次重復步驟3和步驟4，直至獲得均勻電流讀數。將均勻電流讀數的相應值寫入CObr。將CObr值復制到EEpROM(該步驟應與將所有值復制到EEpROM結合起來共同進行)。總結要對組裝好的基于OCV電量計DS2786進行正確驗證，需要探測電路中的每一個焊點。探測步驟1、2和3可以合為一個步驟以縮短探測時間，尤其是可以縮短轉換延遲時間。此外，探測期間對EEpROM編程可以提供更有效的探測流程，同時可以提供足夠的時間施加保存參數(包括電流失調偏置)至EEpROM所需的編程電壓。

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