IGBT 系統設計全攻略【具體】

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的特點（控制和應和），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內。

理想等效電路與實際等效電路如圖所示：

IGBT的靜態特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態特性（開關特性）。

動態特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取：

IGBT的開通過程

IGBT在開通過程中，分為幾段時間

1.與MOSFET類似的開通過程，也是分為三段的充電時間

2.只是在漏源DS電壓下降過程后期，PNP晶體管由放大區至飽和過程中增加了一段延遲時間。

在上面的表格中，定義了了：開通時間Ton，上升時間Tr和Tr.i

除了這兩個時間以外，還有一個時間為開通延遲時間td.on:td.on=Ton-Tr.i

IGBT在關斷過程

IGBT在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。

功率器件在綠色節能設計中的使用【IGBT、MOSFET】

功率器件是功率電子技術的核心器件，特別是IGBT模塊和MOSFET器件被廣泛使用于工業設備、汽車電子、家電等范疇，為這些范疇的節能提供了幫助。在世界都需要節能的情況下，功率器件的緊要性將日益提高，發展前景將更加光明。本專題為你呈現功率器件的最新資訊及其主要使用范疇中的節能設計方案。

關于IGBT保護電路設計必知問題

摘要：全面論述了IGBT的過流保護、過壓保護與過熱保護的有關問題，并從實際使用中總結出各種保護辦法，這些辦法實用性強，保護效果好。

IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點，因而廣泛使用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現意外就會使它損壞。為此，非得但對IGBT進行相關保護本文從實際使用出發，總結出了過流、過壓與過熱保護的相關問題和各種保護辦法，實用性強，使用效果好。

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