安譜隆半導體推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管

安譜隆半導體（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV50VLDMOS工藝的射頻能量晶體管該節點已為大幅提高效率、功率和增益做了優化。它設計用于900到930MHzISM頻段中的工業加熱連續波（CW）射頻能量使用。該晶體管采用小型陶瓷SOT502封裝，結合了大輸出功率和以小尺寸提供同類最佳工作效率的優點。此舉減少了所需的空間，從而降低了放大器設計的成本。

由于其高工作效率通常高于68%，其冷卻需求也保持在最低限度，這有助于進一步降低所需的空間。

BLF0910H9LS600具有高增益的優點其19.8dB的典型增益是在915MHzCWAB類使用中以50VVDS測得這有助于提高放大器的整體效率。

通過使用2個這種小型SOT502封裝的600W晶體管，設計人員可以在與單個SOT539封裝相同的空間中搭建出一個1.2kW的射頻功率放大器。這種架構還有助于降低晶體管溫度，從而有效實現比單個SOT539處理方案更高的效率。

BLF0910H9LS600集成了ESD保護和內部輸入匹配。此匹配增加了晶體管的輸入阻抗，簡化了pCB匹配結構的設計，從而可實現緊湊的放大器設計。

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