電池知識
鋰離子、磷酸鐵鋰、錳酸鋰、新能源
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高性能準諧振開關電源控制芯片DK212是一款符合6級能效標準的次級反饋，反激式AC-DC高性能準諧振開關電源控制芯片。芯片內置高壓功率管，芯片內還蘊含有準諧振測試、SLEEp超低待機、自供電等電路，并具有輸出短路、次級開路、過溫、過壓等保護功能。芯片采用高集成度的CMOS電路設計，具有外圍元件極少，變壓器成本低（隔離輸出電路的變壓器只需要兩個繞組）等特點。
高性能準諧振開關電源控制芯片DK212產品特點
全電壓輸入85V—265V。內置700V功率管。
專利的自供電技術，變壓器無需外部供電繞組，無需啟動電阻（降低成品成本）。
特有的SLEEp技術使芯片具有超低的待機功耗。
內置pWM準諧振電路，增加電源轉換效率和保證良好的EMC特性。
過溫、過流、過壓以及輸出短路，次級開路，光耦失效保護。
4KV防靜電ESD探測。
高性能準諧振開關電源控制芯片DK212使用范疇
12W以下AC-DC使用包括：電源適配器、充電器、電磁爐、空調、DVD、機頂盒等家
電產品。
極限參數
供電電壓VDD…………………………………………………………………-0.3V--8V供電電流VDD…………………………………………………………………。100mA引腳電壓…………………………………………………。..。.-0.3V--VDD+0.3V功率管耐壓…………………………………………………………。..-0.3V--730V
IS最大電壓。..。………………………………………………………………400mV總耗散功率………………………………………………………………1000mW工作溫度………………………………………………………。-25？C--+125？C儲存溫度………………………………………………………。-55？C--+150？C焊接溫度…………………………………………………………….+280？C/5S
高性能準諧振開關電源控制芯片DK212上電啟動：
芯片內置高壓啟動電流源；上電啟動時當VDD電壓小于啟動電壓時，打開三極管對外部的VDD儲能電容C4充電。當VDD電壓達到啟動電壓VCC_Start的時候，封閉啟動電流源，啟動過程結束，控制邏輯開始輸出pWM脈沖并測試IS電阻，當IS接電阻RS對地時，設定最大峰值電流Ip_Max=Vlim/RS（Vlim是IC6腳內部測試電壓最大值）；當IS腳筆直接地時，設定最大峰值電流為Ip_Max=700mA；
軟啟動：
上電啟動結束后，為戒備輸出電壓建立過程可能萌生的變壓器磁芯飽和，功率管和次級整流管應力過大，芯片內置軟啟動電路，在軟啟動時初級峰值電流最大為0.5倍最大峰值電流。
高性能準諧振開關電源控制芯片DK212采用準諧振輸出方式，當測試到OC諧振到最低電壓時，開通pWM輸出，打開開關管給電感充電，這樣減小了開關管的開關損耗，提高了電源的轉換效率。
高性能準諧振開關電源控制芯片DK212FB測試和反饋控制：
Fb引腳外部連接一只電容，以平滑Fb電壓，外接電容會影響到電路的反饋瞬態特性及電路的穩定工作，典型使用可在1nF～10nF之間選擇；芯片根據FB電壓控制pWM輸出峰值電流和工作頻率。
SLEEp模式：
為實現超低待機功耗，芯片設計了SLEEp模式時，當輸出功率逐漸下降到50mW以下時，芯片進入SLEEp模式。可以實現系統超低的待機功耗（《60mW）。
自供電：
芯片使用了專利的自供電技術，控制VDD的電壓在4.7V左右，提供芯片本身的電流消耗，無需外部輔助繞組提供。自供電電路只能提供芯片自身的電流消耗，不能為外部線路提供能量。
高性能準諧振開關電源控制芯片DK212過溫保護（OTp）：
芯片在內部集成了過溫保護功能，如果因外部溫度過高或者其它異常原由造成芯片溫度過高，測試到芯片溫度超過130℃，立即啟動過溫保護，停止輸出脈沖，關斷功率管并進入異常保護模式，溫度異常解除后恢復正常工作。
初級過流保護：
外部變壓器初級線圈的電流過大時，軟啟動結束后，如果在pWM開通500ns時測試
到初級線圈電流達到最大峰值電流Ip_Max，芯片立即關斷功率管，進入異常保護模式。
高性能準諧振開關電源控制芯片DK212供電電源異常：
因外部異常導致VCC電壓低于VCC_Min時，芯片將關斷功率管，進行重新啟動。
因外部異常導致VCC電壓高于VCC_Max時，立即啟動VCC過壓保護，停止輸出脈沖并進入異常保護模式。
高性能準諧振開關電源控制芯片DK212短路和過載保護（OCp）：
次級輸出短路或者過載時，如果FB電壓連續0.8S低于短路保護閥值Vfb_L;芯片
立即關斷功率管，進入異常保護模式。
高性能準諧振開關電源控制芯片DK212異常保護模式：
芯片進入異常保護模式后，封閉pWM輸出，啟動800ms定時器。在800ms內，VCC
電壓下降并維持4.6V，800ms后，芯片結束異常狀態。
高性能準諧振開關電源控制芯片DK212異常保護模式：
芯片進入異常保護模式后，封閉pWM輸出，啟動800ms定時器。在800ms內，VCC
電壓下降并維持4.6V，800ms后，芯片結束異常狀態。
高性能準諧振開關電源控制芯片DK212我們可以通過磁芯的制造商提供的圖表進行選擇，EE19的Ap=1243mm^4，EF20的
Ap=2231mm^4，從設計性能優化角度以及為改善EMI設計增加初、次級屏蔽層來選擇，可以選擇EF20這款變壓器（AE=33.5，屬于標稱值，請按實物測量為準），這樣變壓器加工和效率，散熱上更有優點。
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