• 鋰電池知識

    電池知識

    鋰離子、磷酸鐵鋰、錳酸鋰、新能源

    淺談CMOS的正常工作電流下CMOS電路設計問題

    2021-04-26 ryder

    這次遇到的問題是這樣的,由于LDO的電源輸出能力有限,同時也是保證可靠性,某些保護電路非得筆直電源上,這里要注釋的是,LIMpHOME“跛行回家”即使我們的5V系統出現了問題,我們也非得保證部分緊要的功能能持續工作,因此為了滿足這個條件,關鍵信號的供電只能是筆直接電池


    這次第一個出問題的是一個CMOS的與門(HE4000B系列的)。


    我們的控制信號出自MCU(5V的系統),而與門的系統供電是12V的,因此兩個電平不兼容,導致了MCU的高低電平統一被與門CMOS芯片識別成低電平。


    我們在設計轉換電平的時候,有兩個問題要我們去留意


    1.要相同的邏輯,不能做成反邏輯


    2.在正常狀態下,不能準許大的電流(為了符合靜態電流的要求)這里設計的是低有效電路,因此在輸出高的時候不能出現大的靜態電流。


    可行的改進設計為:


    不過一波未平一波又起,由于ISO16750的規定


    而我們的與門能夠承受的電壓為18~20V,這也是所有CMOS的IC的極限電壓,因此該芯片華美的燒毀了(在我們做1分鐘的JumpStart試驗的時候)


    我們的處理方案,加個齊納管15V鉗位


    此電阻要仔細斟酌,因為在24V的時候,有7V的電壓在電阻上面,要限制齊納管的電流戒備其過熱,同時又要保證CMOS的正常工作電流下,電壓不會下降的太厲害。


    V.CMOS=V.BATT-R.limit×I.AND


    I.zener_max=(24-15)/R.limit


    以上要綜合考慮。

    聲明: 本站所發布文章部分圖片和內容自于互聯網,如有侵權請聯系刪除

    用手機掃描二維碼關閉
    二維碼
    国产在线精品一区二区高清不卡