MOSFET作為功率開關管，已經是是開關電源范疇的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅動器件，其驅動表面上看來是非常簡單，但是具體分解起來并不簡單。本文會來介紹MOSFET的驅動技術。首先，來做一個試驗，把一個MOSFET的G懸空，然后在DS上加電壓，那么會出現什么情況呢？很多工程師都知道，MOS會導通甚至擊穿。這是為甚么呢？因為根本沒有加驅動電壓，MOS怎么會導通？用下面的圖，來做個仿真：
去檢測G極的電壓，發現電壓波形如下：
G極的電壓居然有4V多，難怪MOSFET會導通，這是因為MOSFET的寄生參數在搗鬼。
這種情況有哪些危害呢？實際情況下，MOS肯定有驅動電路的么，要么導通，要么關掉。問題就出在開機或者關機的時候，最緊要是開機的時候，此時驅動電路還沒上電。但是輸入上電了，由于驅動電路沒有工作，G級的電荷無法被釋放，就容易導致MOS導通擊穿。那么怎么處理呢？
在GS之間并一個電阻
那么仿真的結果呢:
幾乎為0V。什么叫驅動能力？
很多pWM芯片或者專門的驅動芯片都會說驅動能力，比如384X的驅動能力為1A，其含義有哪些呢？
倘若驅動是個理想脈沖源，那么其驅動能力就是無窮大，想供應多大電流就給多大。但實際中，驅動是有內阻的，假設其內阻為10歐姆，在10V電壓下，最多能供應的峰值電流就是1A，通常也認為其驅動能力為1A。
什么叫驅動電阻呢？
通常驅動器和MOS的G極之間，會串一個電阻，就如下圖的R3。
驅動電阻的用途，倘若驅動走線很長，驅動電阻可以對走線電感和MOS結電容引起的震蕩起阻尼用途。但是通常，今朝的pCB走線都很緊湊，走線電感非常小。
第二個，緊要用途就是調解驅動器的驅動能力，調節開關速度。當然只能降低驅動能力，而不能提高。
對上圖進行仿真，R3分別取1歐姆，和100歐姆。下圖是MOS的G極的電壓波形上升沿。
紅色波形為R3=1歐姆，綠色為R3=100歐姆。可以看到，當R3比較大時，驅動就有點力不從心了，特別在解決米勒效應的時候，驅動電壓上升很緩慢。
下圖，是驅動的下降沿
那么驅動的快慢對MOS的開關有哪些影響呢？下圖是MOS導通時候DS的電壓：
紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見R3越大，MOS的導通速度越慢。
下圖是電流波形
紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見R3越大，MOS的導通速度越慢。
可以看到，驅動電阻新增可以降低MOS開關的時候得電壓電流的變化率。比較慢的開關速度，對EMI有好處。下圖是對兩個不同驅動情況下，MOS的DS電壓波形做付利葉分解得到
紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見，驅動電阻大的時候，高頻諧波分明變小
但是驅動速度慢，又有哪些壞處呢？那就是開關損耗大了，下圖是不同驅動電阻下，導通損耗的功率曲線。
紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見，驅動電阻大的時候，損耗分明大了。
結論：驅動電阻究竟選多大？還真難講，小了EMI不好；大了效率不好。所以只能一個折中的選擇了。
那倘若，開通和關斷的速度要分別調節，怎么辦？就用以下電路。
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