電池知識
鋰離子、磷酸鐵鋰、錳酸鋰、新能源
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鋰離子、磷酸鐵鋰、錳酸鋰、新能源
隨著晶體管變得越來越小,工作電壓也越來越低。在過去的嵌入式系統中使用最普遍的就是5V電源。但典型嵌入式系統中的大多數元器件也轉而采用更低的電源電壓,以充足利用行業最新趨勢帶來的好處。另一方面,系統中的某些元器件需要更長的時間才能完成轉變。因此,在轉變過程中,系統中的某些元器件可能需要不同的供電電壓(如,在3.3V系統中存在5V器件,反之亦然)。這給嵌入式設計人員帶來了一些設計方面的挑戰。一種處理方案是采用邏輯電平轉換器,但采用電平轉換器并非成本效益最高的處理方案。本文將討論3.3V單片機(MCU)與5V外設接口的一些低成本設計思路。
如果要將5V設計轉為3.3V,第一件事就是尋求電源為3.3V但其他性能相同的單片機。大多數情況下,都能找到支持3.3V電壓的同等器件。而且,基本上,3.3V器件的成本與之持平,甚至更低。如果找不到可運行在3.3V條件下的替代器件,那么就非得采用雙電源了。本文的重點就是討論采用雙電源供電的設計。
對于5V和3V器件共存的設計,首先非得理解邏輯電平和輸入/輸出結構。對于輸入,需要考慮VIH(保證被測試為高輸入的電壓)和VIL(保證被測試為低輸入的電壓)。將3.3V系統連接到5V器件時,VIH通常會比VIL帶來更大的問題。當然,這并不是說可以忽略VIL參數。驅動器件非得輸出高于接收器件VIH(min)值的電壓才能保證正確的邏輯測試。但是,如果電壓太高也不好。
幾乎所有CMOS器件在所有I/O引腳都采用了某種形式的ESD保護。實現ESD保護最常見的辦法是采用箝位二極管將這些引腳連接到Vdd和Vss。這通常意味著最大輸入電壓為Vdd+0.3V,最小輸入電壓為Vss-0.3V。如果電壓超出這一范圍,保護二極管就會導通。如果輸入端沒有串聯電阻,就會導致這些二極管通過極大電流,并有可能造成器件鎖死。這肯定不是所希望發生的。如果電壓足夠高(如3.3V系統中的5V輸入),那么串聯電阻非得非常大才能保證箝位電流處于安全范圍內。如果電阻足夠大,那么由于引腳電容和PCB布線而引起的低輸入容抗可能就會變得緊要起來。RC時間常數會導致信號延遲。許多加工商都提議不要使用箝位二極管實現ESD保護。因此,采用串聯電阻并非將5V信號饋送到3.3V器件的最好辦法。
讓我們看一下標準CMOS器件的邏輯電平,大多數器件的VIH(min)都是0.7Vdd或0.8Vdd。而VIL(max)大致在0.2Vdd或0.3Vdd。對于5V邏輯,對應的VIH為3.5V或4.0V,VIL(max)為1.0V或1.5V。在低負載時,大多數CMOS器件的輸出都接近于電源電壓(0.1或0.2V)。隨著負載電流增加,VOH會變低。此時,確定VOH非得要考慮負載電流。
與串聯輸入電阻相比,更好的辦法是采用電阻分壓器將5V信號轉換到3.3V輸入范圍內。電阻值的選擇非得考慮到所有公差。
計算時可參考下面的公式:
R2/(R1+R2)×VOH(min)>VIH(min)(輸入電壓為標稱值5V與最大負公差之和)
R2/(R1+R2)×VOH(max)
在上述計算過程中還應該考慮到電阻值本身的公差。
另一種更簡單的處理方案是采用兼容TTL輸入的5V器件。TTL器件的VIH(min)是2.1V(Vdd為5V時)。在大負載值條件下,大多數3.3V器件可以支持更高的VOH電平。此時,處理方案是將外設器件更換為兼容TTL輸入的同等器件。
應當很容易就可以發現帶有TTL輸入的類似器件。表1給出了一些例子。
如果正在使用非得采用5V供電的標準數字邏輯系列器件,那么可以尋找支持TTL輸入的同等器件。(如,可使用74HCT系列代替74HC系列。)如果需要使用電平轉換器,那么可使用“HCT”或“VHCT”型的數字緩沖器。在大多數情況下,這一TTL輸入處理方案都比采用專用電平轉換器便宜。
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