電池知識
鋰離子、磷酸鐵鋰、錳酸鋰、新能源
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鋰離子、磷酸鐵鋰、錳酸鋰、新能源
在許多系統中，使用單片機來控制多個負載點（pOL）直流/直流轉換器，從而構成混合控制系統以管理系統啟動行為、監視電氣參數并管理外設子系統的功耗。不過，最復雜的處理方案可在計算機主板、圖形卡或服務器的CpU刀片上找到，其中穩壓器模塊（VRM）筆直與其負載通信來調整電源電壓，并且/或者甚至調整其控制特性來適應臨時的工作條件。這種智能電源轉換管理和控制在總體系統效率、性能和可靠性方面具有顯著優點簡而言之：是工業、醫療、汽車以及消費類細分市場的首選處理方案。
最近十年來，MicrochipTechnologyInc專注于所謂的智能電源轉換（IpC/SpC）使用，為各種各樣的電源轉換使用帶來了更多特性和加強功能。一直以來的一個主要焦點是，采用基于DSp的高性能單片機（帶有高專用性的高速高辨別率外設）以及用于混合控制系統（將單片機與全模擬控制環結合在一起）的專用控制器系列對電源轉換器/逆變器進行全數字控制。更深入地研究特定處理方案后，顯然可以發現，基于模擬的混合控制系統不是100%模擬，全數字處理方案也不是100%數字。這兩種處理方案都急切需要模擬和數字的替代方案來克服特定限制，從而針對特定的目標使用具有特定優點。最新的智能電源轉換控制器產品系列MCp191xx面向專用電源轉換器拓撲和使用，它標志著電源轉換器的智能化取得了新的技術進步。
該產品系列的首個成員MCp19111將高性能模擬同步降壓轉換控制器和8位MCU合并為單片IC，從而提供加強、靈活的配置、控制和監視功能，同時準許集成標準化或專有通信，以在更高級的電源管理結構中安排多個轉換器。與其他現有的混合pOL控制器不同，MCp19111可完全采用C語言編程。這一優點提供了充足的靈活性，從而可調整器件以滿足不同的使用要求，適應特定的工作條件以及實現通用的監視任務和定制功能。該器件具有4.5V至32V的直流寬輸入電壓范圍、低至0.5V的輸出電壓，以及最高支持2A拉電流/4A灌電流的驅動器，因而可支持各種使用。
數字控制器和模擬開關穩壓器在同一芯片上可以使模擬功能與數字控制緊密融合，從而準許在運行時筆直操縱補償電路、開關頻率、死區控制、系統級閾值以及許多其他功能。此外，由于MCU本身采用模擬開關穩壓器架構進行封裝，因而無需額外的輔助電源或外部MOSFET驅動器。圖1給出了MCp19111數字加強型電源模擬控制器的高階框圖以及一個典型使用電路。模擬開關穩壓器部分完全涵蓋了模擬控制環的所有元件（包括MOSFET驅動器），還蘊含MCU的輔助電源。數字部分由8位pIC12F中檔MCU內核、8KB的閃存以及256字節的RAM組成。此外，它還提供了多達15個GpIO（其中8個為附加模擬輸入）、1個基于I？CTM/SMbus的串行通信接口、外部中斷以及3個自由定時器。許多內部信號（如輸入電壓、輸出電壓或電感電流）可筆直在片上進行監視，無需外部傳感。數字實現甚至準許讀取電流占空比，這在目前還是一項非常有用的功能，但由于許多技術原由，僅供全數字控制器使用。
除了加強的監視功能，數字內核的單片集成電路還準許筆直訪問許多參數，這些參數通常在硬件中固定或無法在硅片中訪問。最值得留意的是可調死區、可編程補償器、內部反饋校準、可編程保護閾值，以及在運行時于電流與電壓模式控制之間進行切換的能力。
在同步降壓轉換器中，上橋臂開關與下橋臂開關之間的死區設置對系統總效率有顯著影響。如果模擬控制器完全不提供任何可調死區設置，那么設計人員非得參考某種考慮到最高溫度和負載條件的最壞情況（死區通常需要設置為最大值），并將此值編程到硬件中，例如通過放置電容和/或電阻。這必然會增大內核與二極管的損耗，因為轉換器很可能永遠不會置于這些假定的最壞情況下。
一個適當的處理方案是自動調整死區以適應特定負載和溫度條件。可惜的是，使用板上過零測試器始終以最佳死區來驅動開關會存在某些嚴重限制，原由有二。首先，各種模擬過零測試器均基于比較器。最快（經濟實惠）的模擬比較器的典型傳播延時為15-20ns，其結果如圖3所示，傳播過慢而無法達到最佳級別。其次，此過零測試器非得工作在半橋的開關節點，此處存在高頻開關噪聲需要濾波，這會進一步降低觸發速度，最終導致此功能失效。
但是，模擬范疇無法處理的問題，在數字范疇會找到處理方案。實現此最優化的最常見技術是，監視并分解轉換器的外部條件直至其達到穩定為止。只要測試到穩態運行，就會修改死區并監視上橋臂開關的占空比。此恒壓轉換器技術的原理是，在穩態條件下，上橋臂開關的最短相對導通時間決定了最高效率點，因為在這一點只需從總線汲取最少的功率即可提供一定的恒定輸出功率（見圖2）。
圖3給出了穩態運行期間在定義的死區設置范圍內單次掃描的結果，該結果在探測臺上測得。綠線顯示了使用于上橋臂開關上升沿的死區（DTR）。紅色曲線給出了不同死區設置下的上橋臂開關導通時間的發展趨勢，黑色虛線顯示了其3階近似曲線。
給定的死區掃描范圍通過描述系統特性以及定義最好情況（最短死區）和最壞情況（最長死區）來確定。掃描在90%負載（Vin=12V，Vout=3.3V，Iout=9A）條件下以最高辨別率4ns進行。在圖的左側，占空比的起始值約為1.394？s，并且只要死區增大，占空比就會迅速降低。在此區域中，上橋臂開關與下橋臂開關已顯示出有所疊加，并且從輸入汲取的一些功率筆直短路至地。
在死區約為25ns時，導通時間達到最小值1.384？s，之后隨死區的進一步增大而再次上升。在非可調設計中，死區已針對所使用的開關調整到至少70ns，因此這種運行條件下的典型導通時間為1.395？s。依據圖2中的公式III，原始上橋臂導通時間與最優上橋臂導通時間的差異為11ns。初看之下，這種差異仿佛不大，但從高頻轉換器的角度看，該差異代表了約0.9%的效率提升，相當于總效率從約莫92%升至93%。
另一個非常好的功能是能夠通過軟件調整補償網絡和開關頻率。這不僅簡化了設置配置期間的基本調整，還準許在運行時進行調整。迄今為止，這依然是全數字控制器尚未取得沖破的核心范疇。在硬開關拓撲（如同步降壓轉換器）中，大部分功耗主要來自開關損耗。要提高效率（尤其是輕載條件下），降低開關頻率可對提高轉換器的總體效率有顯著幫助。但是，當降低開關頻率時，如果硬件中的補償網絡固定，通常增益會開始下降，并可能導致增益裕量和相位裕量損失。為補償這種效應，需要調整系統的增益。MCp19111提供了多個寄存器，用于調整pWM發生器的斜坡電壓、零點頻率（原點處的諧振頻率，定義第一個極點）、總增益、斜率增益以及斜率本身。此外，還有寄存器組用于調整放大器失調和電流測試增益。雖然此技術可能需要冗長的系統特性化過程，但有很大幾率可顯著提升效率和穩定性。
在異步降壓轉換器中，續流二極管中的功耗通過正向壓降乘以電流確定。由于二極管兩端永久存在較大的正向壓降并且無法最小化，因此通常使用一個正向壓降低很多的附加開關來旁路/替代二極管，最終構成一個同步整流器。此技術常用于負載電流超過1A的情況。但是，在輕載條件下，如果有非常少的電流流經下橋臂開關，則驅動其柵極所需的功率會超出使用開關旁路續流二極管所節省的功率。為了在此特殊情況下進一步提高效率，MCp19111提供了所謂的二極管仿真模式，使能此模式時將關斷下橋臂驅動器。禁止驅動器之后，柵極將不再偏置，并且MOSFET的內部二極管將成為整流器，從而最大程度降低功耗。
使用Microchip全新的功率MOSFET系列MCp870xx可對上述用于將部分功耗降至最低和提高系統總效率的措施提供額外支持。此系列快速功率MOSFET具有低RDS（on）和均衡的品質因數（FOM），可提供一系列不同的導通電阻與柵極總電荷（QT）組合來優化半橋的總FOM。下橋臂開關的QT越高，MCp19111的二極管仿真模式越有效。
MCp19111是電流模式控制器，在正常工作期間可提供最佳性能。但是，電流模式控制器需要至少有一些電流流過才能正常工作。當負載切換至低功耗待機操作時，轉換器的輸出仍非得提供標稱輸出電壓，但輸出功率可能幾乎為零。通常，電流模式控制器會切換至輸出紋波較高的某種間斷（hick-up）模式或脈沖頻率模式（pFM）操作，這會超出線路穩壓容限并且還常常導致嚴重的EMI問題。要克服典型電流模式控制器的這一限制，可通過禁止電流環來將MCp19111切換至偽電壓模式控制，從而改善輸出電壓和系統穩定性。
MCp19111的一系列加強功能提供了大量用于配置和優化系統的選項。MCU開放的可編程性增加了更多的自由度。因此，Microchip提供了如圖4所示的圖形用戶界面（GUI），用戶無需編寫代碼即可進行特定調整和配置。此GUI與開源固件配合使用，可以對該固件進行修改并將其用作模板來開發各種更高級的功能。
除了配置接口，Microchip還提供了另一個GUI用于探測目的，使用戶可通過pMbusTM協議筆直與器件通信（見圖5）。此GUI與Microchip的pICkitTM串行分解器（部件編號DV164122）配合使用，該分解器是通用的低成本USB轉UART/SpI/I？C接口，可在工作期間筆直用于監視和調試器件。
雖然大多數技術已為人所知，并且某些功能還可在現有器件中找到，但MCp19111系列器件仍開啟了智能開關穩壓器的歷史新篇章。大量專用功能連同自由的可編程性，凸顯了其強大之處。在智能電源控制器范疇，MCp19111將模擬與數字控制方案緊密融合在一起，并使所有功能都可被工程師使用和訪問來消除現有限制，從而為創新、高效且可靠的高性能pOL轉換器奠定了基礎。
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