高可靠性1700V全SiC功率模塊

BSM250D17p2E004，1700V耐壓產品的需求高漲，采用新的芯片涂覆材料和工藝辦法，絕緣擊穿，高溫高濕反偏實驗，HV-H3TRB，導通電阻降低10%。

ROHM面向以戶外發電系統和充放電探測儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現行業領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17p2E004”。

*截至2018年10月26日ROHM調查數據

需求高漲的1700V耐壓全SiC功率模塊

近年來，由于SiC產品的節能效果優異，以1200V耐壓為主的SiC產品在汽車和工業設備等范疇的使用日益廣泛。系統呈高電壓化發展趨勢，1700V耐壓產品的需求日益旺盛。然而，1700V耐壓產品受可靠性等因素影響，遲遲難以推出SiC產品，目前主要使用IGBT。

此次開發的1700V模塊采用新涂覆材料和新工藝辦法，成功地防止了絕緣擊穿，并抑制了漏電流的增加。另外，在高溫高濕反偏實驗中，呈現出極高可靠性，超過1，000小時也未發生絕緣擊穿現象，從而成功推出了額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊。

在高溫高濕環境下確保行業領先的可靠性

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1700V全SiC功率模塊BSM250D17p2E004通過采用新涂覆材料作為芯片的保護對策，并引進新工藝辦法，使模塊通過了高溫高濕反偏實驗（HV-H3TRB：HighVoltageHighHumidityHighTemperatureReverseBias）。

對BSM250D17p2E004和同等IGBT模塊實行了HV-H3TRB高溫高濕反偏實驗，實驗條件為在85℃/85%的高溫高濕環境下，施加1360V。實驗結果是IGBT模塊比較早期出現絕緣劣化或絕緣擊穿導致的漏電流增加現象，在1，000小時內發生了故障。而新開發的SiC功率模塊即使超出1，000小時也未發生絕緣擊穿，表現出極高的可靠性。

導通電阻更低，有助于進一步降低設備損耗

構成BSM250D17p2E004的SiCSBD（肖特基勢壘二極管）和SiCMOSFET全部由ROHM加工。通過SiCSBD和SiCMOSFET的最佳組合配置，使導通電阻低于同等一般產品10%。這將非常有助于進一步降低使用的能耗。

SiC功率模塊的產品陣容

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