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    穩健的汽車40V功率MOSFET提高汽車安全性

    2021-04-24 ryder

    意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS(電動助力轉向系統)和EPB(電子駐車制動系統)等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。這些機電系統非得符合汽車AECQ101規范,詳盡而言,低壓MOSFET非得耐受高溫柔高尖峰電流。


    1.前言


    EPS和EPB系統均由兩個主要部件組成:電動伺服單元和機械齒輪單元。電動伺服單元將電機的旋轉運動傳給機械齒輪單元,進行扭矩放大,執行機械動作。電動伺服單元是用功率MOSFET實現的兩相或三相逆變器,如圖1所示。


    圖1.EPS和EPB系統的伺服單元拓撲


    圖中負載是一臺電機,通常是永磁無刷直流電機(BLDC),由一個12V電池進行供電。


    2.汽車對功率MOSFET的要求


    EPS和EPB逆變器所用的40V功率MOSFET,要想符合AECQ101汽車認證標準,非得滿足以下所有要求:


    1.開關損耗和導通損耗非常低


    2.輸出電流大


    3.Ciss/Crss比值小,EMI抗擾性強


    4.優異的耐雪崩性能


    5.出色的過流和短路保護


    6.熱管理和散熱效率高


    7.采用穩定的SMD封裝


    8.抗負載突降和ESD能力優異


    2.1.AECQ101功率MOSFET的參數測量值


    我們選擇一些符合EPS和EPB系統要求的競品,與意法半導體的40V汽車功率MOSFET進行對比試驗。表1列出了意法半導體的STL285N4F7AG汽車40V功率MOSFET和同級競品的主要參數測量值。


    表1.STL285N4F7AG與競品參數測量值比較表


    由于兩個安全系統的工作電壓都是在12V-13.5V區間,功率MOSFET的標稱電壓是40V,因此,只要確保擊穿電壓(BVdss)接近46V,就能正確地抑制在開關操作過程中因寄生電感而萌生的過壓。為抑制導通期間的壓差,靜態導通電阻(RDSon)最好低于1m。惟有本征電容和Rg都很小,開關損耗才能降至最低,從而實現快速的開關操作。Crss/Ciss比率是一個非常敏感的參數,有助于戒備米勒效應導致的任何異常導通,并可以更好地控制di/dt和dV/dt速率,配合體-漏二極管Qrr反向恢復電荷和反向恢復軟度,可顯著降低器件對EMI的敏感度。


    為滿足低耗散功率和電磁干擾的要求,STL285N4F7AG優化了電容比值(Crss/Ciss)。圖2是STL285N4F7AG與競品的電容比值比較圖。


    圖2.STL285N4F7AG與競品的Crss/Ciss電容比測量值比較


    此外,圖3所示是意法半導體的STL285N4F7AG的體-漏二極管與競品的性能測量值比較圖。


    圖3:STL285N4F7AG與競品的體-漏二極管性能測量值比較


    測量參數聲明,對于一個固定的di/dt值,STL285N4F7AG的反向恢復電荷(Qrr)和恢復時間(Trr)都小于競品,這個特性的好處歸納如下:


    -低Qrr可降低逆變器在開啟時的動態損耗,并優化功率級的EMI特性


    -更好的Trr可改善二極管恢復電壓上升速率(dv/dt)的動態峰值。在續流期間電流流過體漏二極管時,Trr是導致電橋故障的常見主要原由。


    因此,dv/dt是保證閂鎖效應耐受能力的緊要參數,測量結果顯示,意法半導體產品的dv/dt性能(圖4)優于競品(圖5)。


    圖4.STL285N4F7AG的dv/dtt測量值


    圖5.競品的dv/dt測量值


    2.2.短路試驗性能探測


    我們通過一個短路試驗來測量、驗證意法半導體40V汽車功率MOSFET在汽車安全使用中的穩定性。電子系統可能因各種原由而發生短路,例如,存在濕氣、缺乏絕緣保護、電氣部件意外接觸和電壓過高。因為短路通常是意外造成的,所以短路很少是永久的,一般繼續幾微秒。在短路期間,整個系統,特別是功率級非得承受多個高電流事件。我們用STL285N4F7AG和探測板做了一個短路試驗,測量結果如圖6所示:


    圖6:探測板


    按照以下步驟完成試驗:


    1)用曲線測量儀預先探測主要電氣參數


    2)探測板加熱至135C,并施加兩次10s的短路脈沖,間隔小于1s。限流器保護功能激活做一次試驗,不激活做一次試驗。


    3)對器件進行去焊解決,并再次測量主要電氣參數,檢查功率MOSFET的完整性或性能衰減。


    測量結果如圖7所示。


    圖7:STL285N4F7AG短路探測


    在短路事件過程中測量到的實際電流值是在2000A范圍內,脈沖繼續時間為10s。我們進行了十次探測,Tperiod=5s。STL285N4F7AG成功地承受住短路沖擊,未發生任何故障;但當電流值大于2400A時,出現故障(圖8)。


    圖8.STL285N4F7AG失效時的電流測量值(Id2400A)


    3.結論


    試驗數據聲明,意法半導體最先進的AEC-Q10140V功率MOSFET可輕松符合汽車安全系統的嚴格要求。因此,意法半導體的新溝槽N溝道器件是汽車EPS和EPB系統的最佳選擇。


    4.參考文獻


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    [4]B.Murari,F.Berrotti,G.A.VignolaSmartPowerICs:TechnologiesandApplications2ndEdition

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