半導體所在單晶硅太陽電池研究中獲得沖破

由中科院半導體研究所韓培德研究員領導的光伏能源組，在國家縱向經費和自籌經費的支持下，瞄準光伏企業需求，經過多年苦戰，綜合了入射光減反技術、鈍化技術、選擇性發射極技術、背面局部重摻技術等優勢，在單晶硅襯底上研發出效率高達20.0%的太陽電池（短路電流密度JSC=43.9mA/cm2，開路電壓VOC=602mV，填充因子FF=0.758），并經中國計量科學研究院認證。

在中國特色的光伏運動推動下，單晶硅/多晶硅太陽電池將以第一代電池身份（今年年底）跨入MartinA.Green說描述的第三代電池領域（即光電轉換效率20%，電力成本$0.5/W，制造成本$100/m2），單晶硅/多晶硅太陽電池在光伏能源中的主導地位將長期不變。正因如此，提高單晶硅電池效率、形成自主知識產權、引領光伏企業向前發展更具有緊要的戰略意義。

針對當前光伏低谷的產業形勢，課題組提出了提效率、重測試、降成本、促使用十二字方針，以此作為該組日常工作指南，努力走一條與企業需要相結合的研發道路。下一步將持續提高電池效率，同時對現有技術進行中試，并在產線上加以推廣和使用。

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