利用PECVD技術來提高晶體硅太陽能電池加工

為了提高晶體硅太陽能電池的效率，通常要減少太陽電池正表面的反射，還要對晶體硅表面進行鈍化解決，以降低表面缺陷關于少數載流子的復合用途。

硅的折射率為3.8，倘若筆直將光滑的硅表面放置在折射率為1.0的空氣中，其對光的反射率可達到30%左右。人們使用表面的織構化降低了一部分反射，但是還是很難將反射率降得很低，尤其是對多晶硅，使用各向同性的酸腐蝕液，倘若腐蝕過深，會影響到pN結的漏電流，因此其對表面反射降低的效果不分明。因此，考慮在硅表面與空氣之間插一層折射率適中的透光介質膜，以降低表面的反射，在工業化使用中，SiNx膜被選擇作為硅表面的減反射膜，SiNx膜的折射率隨著x值的不同，可以從1.9變到2.3左右，這樣比較適合于在3.8的硅和1.0的空氣中進行可見光的減反射設計，是一種較為優良的減反射膜。

另一方面，硅表面有很多懸掛鍵，關于N型發射區的非平衡載流子具有很強的吸引力，使得少數載流子發生復合用途，從而減少電流。因此要使用一些原子或分子將這些表面的懸掛鍵飽和。試驗發現，含氫的SiNx膜關于硅表面具有很強的鈍化用途，減少了表面不飽和的懸掛鍵，減少了表面能級。

綜合來看，SiNx膜被制備在硅的表面起到兩個最用，其一是減少表面對可見光的反射；其二，表面鈍化用途。

二pECVD技術的分類

用來制備SiNx膜的辦法有很多種，包括：化學氣相沉積法（CVD法）、等離子加強化學氣相沉積（pECVD法）、低壓化學氣相沉積法（LpCVD法）。在目前產業上常用的是pECVD法。

pECVD法按沉積腔室等離子源與樣品的關系上可以分成兩種類型：

筆直法：樣品筆直接觸等離子體，樣品或樣品的支撐體就是電極的一部分。

間接法：或稱離域法。待沉積的樣品在等離子區域之外，等離子體不筆直打到樣品表面，樣品或其支撐體也不是電極的一部分。

筆直法又分成兩種：

（1）管式pECVD系統：即使用像擴散爐管相同的石英管作為沉積腔室，使用電阻爐作為加熱體，將一個可以放置多片硅片的石墨舟插進石英管中進行沉積。這種設備的緊要制造商為德國的Centrotherm公司、我國的第四十八研究所、七星華創公司。

（2）板式pECVD系統：即將多片硅片放置在一個石墨或碳纖維支架上，放入一個金屬的沉積腔室中，腔室中有平板型的電極，與樣品支架形成一個放電回路，在腔室中的工藝氣體在兩個極板之間的交流電場的用途下在空間形成等離子體，分析SiH4中的Si和H，以及NH3種的N形成SiNx沉積到硅表面。這種沉積系統目前緊要是日本島津公司在進行加工。

間接法又分成兩種：

（1）微波法：使用微波作為激發等離子體的頻段。微波源置于樣品區域之外，先將氨氣離化，再轟擊硅烷氣，出現SiNx分子沉積在樣品表面。這種設備目前的緊要制造商為德國的Roth&Rau公司。

（2）直流法：使用直流源激發等離子體，進一步離化氨氣和硅烷氣。樣品也不與等離子體接觸。這種設備由荷蘭的OTB公司加工。

目前，在我國微波法pECVD系統占據市場的主流，而管式pECVD系統也占據不少份額，而島津的板式系統惟有5~6條加工線在使用。直流法pECVD系統還沒有進入我國市場。

除了上述幾種模式的pECVD系統外，美國的AppliedMaterial公司還開發了磁控濺射pECVD系統，該系統使用磁控濺射源轟擊高純硅靶，在氨氣的氣氛中反應濺射，形成SiNx分子沉積到樣品表面。這種技術的優勢是不使用易爆的硅烷氣，安全性提高很多，另外沉積速率很高。

倘若按照pECVD系統所使用的頻率范圍，又可將其分成以下幾類：

■0Hz：直流間接法——OTB公司

■40KHz：Centrotherm公司管式筆直法pECVD和AppliedMaterial公司的磁控濺射系統

■250kHz：島津公司的板式筆直法系統

■440kHz：Semco公司的板式筆直法

■460kHz：Centrotherm公司管式筆直法

■13.6MHz：Semco公司和MVSystem公司的板式筆直法系統

■2450MHz：Roth&Rau公司的板式間接法系統。

三各種辦法的優缺點比較

各種辦法都有其有缺點：從大的方面講，筆直pECVD法對樣品表面有損傷，會新增表面少子的復合，但是也正是由于其對表面的轟擊用途，可以去除表面的一些自然氧化層，使得表面的雜質原子得到抑制，另外筆直法可以使得氫原子或氫離子更深入地進入到多晶硅晶界中，使得晶界鈍化更充足。

使用不同頻率的pECVD系統，也各有一定的優缺點：

（1）頻率越高平均面積越小，越難于達到大面積平均性。

（2）頻率越低對硅片表面的損傷越嚴重。

（3）頻率越低離子進入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的鈍化。

我們將不同頻率的pECVD辦法在電路控制難度的比較列于表1中。

表1各種頻率的pECVD技術的電路控制難度

各種不同的技術的沉積特性的比較列于表2

表2各種pECVD辦法的沉積特性比較

沉積薄膜的平均性是一項很緊要的指標，目前市場上太陽電池標準訂的越來越高，盡管有些色差片的效率很高，也只能按照B級片解決。各種設備的標稱平均性列于表3。

表3各種pECVD法的平均性比較

沉積的平均性與電極和腔室的設計很有關系。管式pECVD系統由于其石墨舟中間鏤空，因此利用了硅片作為電極的一部分，因此輝光放電的特性就與硅片表面的特性有了一定的關系，比如硅片表面織構化所生成的金子塔尖端的狀態就對等離子體放電出現影響，而目前硅片的電導率的不同也影響到等離子場的平均性。另外管式pECVD的氣流是從石英管一端引入，這樣也會造成工藝氣體分布的不平均。

板式pECVD系統使用了襯底板作為電極，而且采用勻氣的Shower系統，但是由于襯底板在長期加熱后會有略微的翹曲，從而造成平行板電極間距的不一致，也會造成片間不平均。另外，等離子體筆直法在大面積沉積時會造成由于高頻波長所帶來的附加的不平均性。

各種辦法制備的薄膜的質量也略有不同，原則上講，由于筆直法中的等離子體筆直用途于硅片表面，因此平均性要好一些，而間接法等離子體是離子離化后形成SiNx擴散到硅片表面的，薄膜的質量較為酥松，而磁控濺射由于其工作方式的原由，薄膜最為酥松。關于致密的薄膜，其鈍化特性和減反射特性都要優越得多。幾種pECVD技術的薄膜質量的比較列于表4中。

表4各種pECVD技術制備的薄膜質量

當然，這種比較也是在某些特定的沉積條件下的一般性的比較，改變沉積條件可以改變薄膜的特性。

四結論

目前，產業化的SiNx鍍膜技術還在不斷的發展，每一種技術都有其特性點，也都有其不足。太陽電池向著新型特種結構和工藝的方向發展，對氮化硅膜提出了一些新的要求。

例如，有一種新型太陽電池要求雙面鍍膜，正面鍍氮化硅，背面鍍二氧化硅和氮化硅，這種情況下，靈活的微波間接法就有較大的優點。另一些技術要求在制備出氮化硅薄膜后還進行濕法光化學金屬鍍膜工藝，這對氮化硅膜的密度和質量要求高了很多，因此，筆直法特別是管式筆直法就有了很大的優點。

總之，各種辦法非得適應這些新的要求，才能更好的發展下去。

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